红外焦平面探测器是热成像系统的核心部件，用于探测和识别物体的红外信息，在电力、铁路、石油化工、安防、医疗等多个领域有广泛的应用。红外焦平面探测器分为制冷型红外焦平面探测器和非制冷红外焦平面探测器，热敏感元件是红外探测器的核心部件，是接收红外辐射和输出信号之间的桥梁。非制冷红外焦平面探测器的热敏元件主要以氧化钒和多晶硅为主，那氧化钒和多晶硅的区别在哪里呢？
一、氧化钒与多晶硅的相同点
1.薄膜种类相同
氧化钒薄膜与非晶硅薄膜都是半导体热敏薄膜，薄膜电阻温度系数TCR与电阻率成正比关系。
2.生产工艺相同
微测辐射热计技术与CMOS工艺兼容，能够与CMOS读出电路片集成，可基于
半导体制造工艺进行规模化生产，是非制冷红外焦平面探测器的主要技术。
二、氧化钒与多晶硅的不同点
1.成像原理不同
氧化钒探测器一个像元就是一个精确的温度，多晶硅薄膜由于材料生长的特性，对温度的变化相对不敏感，但随着软件算法的发展，可以通过图像算法程序做一定程度的弥补。通过图像算法把N*N（N≥2）个像元的平均温度作为一个测温值，临近区域给出一个模拟的人工数值。近距离观测时比较精确，远距离观测时，有时一个物体只有几个像元，往往无法识别或者分析结果错误。
2.薄膜性能指标不同
同样电阻条件下，氧化钒薄膜TCR优于多晶硅薄膜；同样TCR条件下，多晶硅薄膜的1/f噪声系数高于氧化钒薄膜的2个数量级，较大程度的制约了基于多晶硅薄膜的探测器固有灵敏度与固定图形噪声，这个制约会随着像元尺寸的缩小越来越显著。
3.技术指标不同
氧化钒探测器的热灵敏度可以达到20～30mk，多晶硅探测器的灵敏度通常在50～60mk。多晶硅的残余固定图形噪声大，比氧化钒的高一个数量级以上，具体表现为图像有蒙纱感，红外图像感官不够通透。
氧化钒与多晶硅探测器性能各有不同，都有着各自的优点，随着红外技术的进步，探测器的性能会更加优化。就目前来说一般着重于成像型的会选择氧化钒，注重于测温准确性的关于选择多晶硅的（在相同条件下，非制冷红外热像仪）
